Новыми членами-корреспондентами РАН стали:

• Владимир Беспалов — ректор МИЭТ, д.т.н., профессор, выпускник МИЭТ
• Роман Соловьёв — ведущий сотрудник зеленоградского Института проблем проектирования в микроэлектронике (ИППМ РАН), д.т.н., профессор МИЭТ, выпускник МИЭТ
• Вячеслав Светухин — директор НПК «Технологический центр», д.ф.-м.н., профессор, главный редактор журнала «Наноиндустрия», выпускник УлГУ

Все трое вошли в число избранных членкоров РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий, которое объединяет ученых, чьи научные интересы лежат в области информационных технологий и нанотехнологий, а также научные учреждения, исследования которых посвящены проблемам данных отраслей науки и техники.

Специальность Беспалова и Светухина — вычислительные, локационные, телекоммуникационные системы и элементная база. Соловьёва — оптоинформационные технологии.

Кроме того, членом-корреспондентом РАН избран Михаил Посыпкин, д.ф.-м.н, доцент Института микроприборов и систем управления МИЭТ, выпускник Мехмата МГУ.

Академия наук публикует информацию об основных научных результатах новых членах.

Специалист в области физики и технологии гетероструктур, элементной базы, микро- и наноэлектроники, устройств микросистемной техники, автор и соавтор более 200 научных работ, из них пять монографий и 50 авторских свидетельств.

Основные научные результаты Беспалова:

• исследованы характеристики фоточувствительных слоев твердого раствора арсенида галлия, легированного марганцем и разработаны конструкции и технологии их эпитаксиального роста, разработана и внедрена в производство технология многоэлементных ИК-фотоприемников спектрального диапазона 8-12 мкм с повышенной рабочей температурой и предварительной обработкой сигнала малошумящих усилителей на арсениде галлия
• решена проблема создания эффективных автоэмиссионных сред для приборов и устройств силовой СВЧ электроники и интегральной эмиссионной электроники субтерагерцового диапазона частот с использованием разработанной технологии изготовления структуры кремний/алмаз/кремний-углеродный туннельнопрозрачный проводящий слой с массивами микроострий на гетерогранице кремний/алмаз
• разработаны технологии по изготовлению сложных (с элементами и оптической близости) бинарных и фазоздвигающих фотошаблонов уровня 130 нм
• разработаны принципы конструирования и технологии семейства тепловых МЭМС датчиков, создано их производство на пластинах диаметром 150 мм

Беспалов В.А. организовал и руководит ЦКП МИЭТ по производству изделий микросистемной техники и приборов на сложных полупроводниках, ведет преподавательскую деятельность.

Специалист в области автоматизации проектирования интегральных схем, вычислительных методов, модулярной арифметики, нейронных сетей и элементов машинного обучения в области компьютерного зрения, автор и соавтор 93 научных работ (в т.ч. одно авторское свидетельство и патент).

Основные научные результаты Соловьева:

• разработан высокопроизводительный и эффективный комплекс вычислительных алгоритмов и методов для анализа помех, влияющих на быстродействие КМОП-схем;
• разработаны методы проектирования различных микроэлектронных устройств на базе модулярной арифметики, методы повышения надежности и ускорения вычислений на базе методов модулярной арифметики, разработаны элементы теории интрамодулярных вычислений
• разработан ряд подходов к проектированию аппаратных реализаций нейронных сетей на базе ПЛИС и СБИС, исследованы параметры надежности аппаратных реализаций нейронных сетей, разработан метод слияния прямоугольников для нейронных сетей обнаружения объектов, разработан метод использования трехмерных свёрток для анализа данных, полученных на мультифотонном флуоресцентном микроскопе. Данные методы имеют важное значение при реализации нейронных сетей в микроэлектронном и оптическом элементных базисах

Соловьев ведёт преподавательскую работу в должности профессора кафедры проектирования и конструирования интегральных микросхем Научно-исследовательского университета МИЭТ (НИУ МИЭТ), член ГАК МИЭМ НИУ ВШЭ.

Соловьев — член редколлегий журналов «Информационные технологии», «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных схем», Программного комитета конференции МЭС, диссертационного совета Д 002.078.01 на базе ИППМ РАН.

Специалист в области нанотехнологий, технологий микроэлектроники, радиационных технологий, автор и соавтор 257 научных работ, из них три монографии и 46 авторских свидетельств и патентов.

Основные научные результаты Светухина:

• разработана теория аномальной диффузии в наноматериалах;
• разработана теоретическая модель кинетики фазовых превращений в наноструктурированных материалах;
• разработана теоретическая модель усиления током сверхмедленных плазмонполяритонных волн в углеродных наноструктурах;
• разработана теоретическая модель генератора спазерного типа, с прямой накачкой током, работающего в диапазоне от ближнего инфракрасного до терагерцового
• разработаны модели для проектирования и создания отечественной элементной базы кремниевой интегральной фотоники.

Светухин член трех диссертационных советов. Им подготовлено два доктора и семь кандидатов наук. Он главный редактор журнала «Наноиндустрия».

Кроме того, Светухин автор книги «Основы нанотехнологий» для старшеклассников.

С 2016 года академиками РАН являются президент МИЭТа Юрий Чаплыгин и экс-директор НПК «Технологический центр» МИЭТ Александр Сауров. Тогда же статус иностранного члена РАН получил профессор МИЭТа, академик НАН Беларуси Владимир Лабунов.

А в 2017 году в состав Президиума РАН вошли выпускники МИЭТ Геннадий Яковлевич Красников (академик РАН с 2008 года, генеральный директор НИИМЭ) и Александр Леонидович Стемпковский (академик РАН с 2006 года, директор ИППМ РАН).